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BSS83P H6327  与  BSS83PH6327XTSA1  区别

型号 BSS83P H6327 BSS83PH6327XTSA1
唯样编号 A32-BSS83P H6327 A36-BSS83PH6327XTSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2Ω@330mA,10V -
上升时间 71ns -
Qg-栅极电荷 2.38nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 78pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
正向跨导 - 最小值 0.24S -
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id -330mA -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.57nC @ 10V
配置 Single -
长度 2.9mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2 欧姆 @ 330mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 61ns -
高度 1.10mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -60V -
Pd-功率耗散(Max) 360mW -
典型关闭延迟时间 56ns -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 80uA
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 330mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 23ns -
库存与单价
库存 436 13,451
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥0.4612
25+ :  ¥0.3977
100+ :  ¥0.3427
80+ :  ¥0.7139
200+ :  ¥0.5811
1,500+ :  ¥0.5291
3,000+ :  ¥0.494
购买数量

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阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
13,451 对比

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